FőoldalKonstruktőrSzilícium-karbid JFET-ek high-end audió rendszerekhez
2011. augusztus 16., kedd ::

Szilícium-karbid JFET-ek high-end audió rendszerekhez

A szilícium-karbid (SiC) tranzisztortechnológia vezető fejlesztője, a SemiSouth Laboratories új sorozatú, kedvező árfekvésű SiC JFET termékekkel jelent meg, amelyek kiváló linearitási jellemzőik révén akár high-end audió-rendszerekben is megállják helyüket

Az SJEP120R100A és SJEP120R063A típusnevű tranzisztorok kiváló linearitást és osztályelső torzítási jellemzőket kínálnak. A standard gate-vezérlő IC-kkel kompatibilis JFET-ek hőmérsékleti együtthatója pozitív, ezáltal könnyen párhuzamosíthatók. A kapcsolási sebességük rendkívül nagy, a maximális 150 °C működési üzemi hőmérsékletig maradékáramuk sincs, az RDS(on) ellenállásértékük maximuma pedig 100 mΩ (SJEP120R100A) ill. 63 mΩ (SJEP120R063A). A tranzisztorokat TO-247 típusú tokozásba szerelik, illetve az SJEP120R100A integrációs célra elérhető chip kivitelben is.

A SemiSouth honlapja

Lambert Miklós

ELEKTRONET szerkesztőbizottság elnöke

Tudomány / Alapkutatás

tudomany

CAD/CAM

cad

Járműelektronika

jarmuelektronika

Rendezvények / Kiállítások

Mostanában nincsenek események
Nincs megjeleníthető esemény