Az SJEP120R100A és SJEP120R063A típusnevű tranzisztorok kiváló linearitást és osztályelső torzítási jellemzőket kínálnak. A standard gate-vezérlő IC-kkel kompatibilis JFET-ek hőmérsékleti együtthatója pozitív, ezáltal könnyen párhuzamosíthatók. A kapcsolási sebességük rendkívül nagy, a maximális 150 °C működési üzemi hőmérsékletig maradékáramuk sincs, az RDS(on) ellenállásértékük maximuma pedig 100 mΩ (SJEP120R100A) ill. 63 mΩ (SJEP120R063A). A tranzisztorokat TO-247 típusú tokozásba szerelik, illetve az SJEP120R100A integrációs célra elérhető chip kivitelben is.
A szilícium-karbid (SiC) tranzisztortechnológia vezető fejlesztője, a SemiSouth Laboratories új sorozatú, kedvező árfekvésű SiC JFET termékekkel jelent meg, amelyek kiváló linearitási jellemzőik révén akár high-end audió-rendszerekben is megállják helyüket
Kategória:
Konstruktőr
Lambert Miklós
ELEKTRONET szerkesztőbizottság elnöke
Legfrissebbek a szerzőtől: Lambert Miklós
Rendezvények / Kiállítások
Mostanában nincsenek események
Nincs megjeleníthető esemény
Elektronet nyomtatott kiadás
Legfrissebb lapszámunk kapható az újságárusoknál, vagy előfizethető honlapunkon, itt!
Legolvasottabb cikkeink
-
Bel Stewart-MagJack csatlakozók
-
Érintésvédelmi műszerek képességei
-
Egyedi és szériamozgatási és -ellenőrzési rendszerek a folyamatok automatizálásához
-
Amerikai tudományos elismerését a Kálmán-szűrő megalkotójának
-
Valódi és biztonságos alternatíva a boltokból kivont izzólámpákra
-
2022-re 4 nm-es gyártástechnológiát céloz meg az Intel
-
Skype: messze több, mint egy VoIP-telefon
-
A Szilícium-völgy válasza a globális válságra
-
A pendrájv sem csodaszer!
-
National Instruments