tranzisztor
Egy „hajszállal” jobb, 11 nanométeres csíkszélességet mutatott be
Az MRFX tranzisztorsorozat első fecskéje az MRFX1K80H típusnévre hallgat, amely bármely 1 … 470 MHz frekvenciájú alkalmazásban 1800 W folytonos hullámú (CW) teljesítményt biztosít, amely egyedülállóan magas érték az iparági megoldások között
Már 7 nanométeren leváltaná a FinFET-et a koreai óriás. Egy lépéssel ugraná át konkurenseit a Samsung: tömegtermelésben elsőként vetné be a GAA (Gate-All-Around), vagy más néven nanohuzal tranzisztorokat. A ma már a legtöbb bérgyártó kínálatában elérhető FinFET tranzisztorok egyik potenciális utódjának számító alternatíva több előnnyel kecsegtet, ezért cserébe viszont előbb vagy utóbb újabb kockázatot jelentő kihívásokkal kell szembenézniük a mérnököknek
Szilícium helyett molibdén-diszulfidot és szén nanocsöveket használtak
A University of Wisconsin-Madison tudósai már képesek szén nanocsöves tranzisztorokat előállítani .A szilíciumos társaikat túlszárnyalva egyebek mellett még gyorsabb vezeték nélküli kommunikációra is lehetőséget kínálnak
A Rohm bejelentette, hogy saját tudomásuk szerint létrehozták az iparág legkisebb méretű tranzisztorait. A VML0604 típusnevű újdonság tokozásának mérete 0,6×0,4×0,36 mm, amely a hagyományos modellekhez képest mintegy 50%-kal kisebb, ennélfogva ideális okostelefonokhoz és minden egyéb olyan végtermékhez, amelyeknél a kis méretek (különösen a vastagság) kiemelt szempontot képviselnek
A számos cég által évtizedeken át gyártott BF245 JFET tranzisztor felkerült a leállított gyártású alkatrészek listájára. De azért van helyettesítő típusa: az SMT tokozású BF545
Moore törvénye szerint 18 havonta duplázódhat meg a számítógépek chipjeire elhelyezhető tranzisztorok száma. Az IBM számára ez az idő is túl sok
A szilícium-karbid (SiC) tranzisztortechnológia vezető fejlesztője, a SemiSouth Laboratories új sorozatú, kedvező árfekvésű SiC JFET termékekkel jelent meg, amelyek kiváló linearitási jellemzőik révén akár high-end audió-rendszerekben is megállják helyüket
A nagyfeszültségű, nagy hatásfokú, ipari teljesítménymenedzsment és -konverziós alkalmazásokhoz szilícium-karbid (SiC) tranzisztortechnológiákat fejlesztő SemiSouth Laboratories bejelentette legújabb, 1200 V-os JFET-jeit rekord alacsony, 45 mΩ ellenállással. Az egyedülálló tulajdonságú tranzisztorokat a gyártó egy sor ipari alkalmazás igényeinek megfelelően alkotta meg, így napelemes invertereknél, kapcsolóüzemű tápegységeknél, indukciós fűtőrendszereknél, szünetmentes áramforrásoknál, szélerőműves rendszereknél, motormeghajtóknál egyaránt jól teljesítenek az új alkatrészek
Tudomány / Alapkutatás
CAD/CAM
Járműelektronika
Rendezvények / Kiállítások
Mostanában nincsenek események
Nincs megjeleníthető esemény
Elektronet nyomtatott kiadás
Legfrissebb lapszámunk kapható az újságárusoknál, vagy előfizethető honlapunkon, itt!
Elektronet digitális kiadás
Lapszámaink digitálisan is elérhetőek a digitalstand.hu oldalon, hogy kedvenc lapja mindig Önnél legyen!
Legolvasottabb cikkeink
-
Bel Stewart-MagJack csatlakozók
-
Érintésvédelmi műszerek képességei
-
Egyedi és szériamozgatási és -ellenőrzési rendszerek a folyamatok automatizálásához
-
Amerikai tudományos elismerését a Kálmán-szűrő megalkotójának
-
2022-re 4 nm-es gyártástechnológiát céloz meg az Intel
-
Valódi és biztonságos alternatíva a boltokból kivont izzólámpákra
-
Skype: messze több, mint egy VoIP-telefon
-
A Szilícium-völgy válasza a globális válságra
-
A pendrájv sem csodaszer!
-
National Instruments