A tudósok már évek óta próbálják kiaknázni a szén nanocsöves tranzisztorokban rejlő lehetőségeket, hogy gyorsabb és kevésbé erőforrásigényes termékeket hozhassanak létre. Mint kiderült, a szén nanocső tranzisztorokra irányuló kutatások összetettségük miatt komoly kihívást jelentenek. Úgy tűnt, hogy a szén nanocsöves tranzisztorok a PC komponensekben és az elektromos alkatrészekben soha nem vehetik fel a versenyt a szilíciumhoz vagy a gallium arzenidhez hasonló félvezetőkkel. Úgy látszik, ez most mégis megváltozik, mivel egy nemrég lefolytatott vizsgálat során teljesítmény szempontjából a szén nanocsöves tranzisztorok a rajtuk végzett kutatások kezdete óta először a szilíciumos társaik fölé kerekedtek.
A University of Wisconsin-Madison tudósai bejelentették, hogy képesek szén nanocsöves tranzisztorokat előállítani. Az egyetem anyagtudomány és technológiai professzorai és a velük dolgozó kutatók olyan szén nanocső tranzisztorokat tudtak létrehozni, amelyek az azonos méretű szilícium tranzisztoroknál 1,9-szer nagyobb áramot tudtak elviselni. Az újfajta tranzisztorok várhatóan ötször jobban teljesítenek majd a szilíciumos társaiknál, és energiatakarékosabbak is.
A kutatás vezetőjeként Michael Arnold, az UW-Madison anyagtudomány és technológia professzora egy nyilatkozatban így fogalmazott: „Ez az eredmény az elmúlt 20 évben csak álom volt a nanotechnológiában. Nagy mérföldkő a szilícium tranzisztoroknál jobb szén nanocsöves tranzisztorok előállítása. Ez az áttörés a szén nanocsöves tranzisztorok teljesítményében óriási előrelépés a szén nanocsövek felhasználásában a logika, a nagy sebességű kommunikáció, és más félvezető elektronikai technológiák területén.”
