FőoldalCikkekCikkek megjelenítése címkék szerint: SemiSouth

SemiSouth

Feliratkozás az RSS csatornára

Új, két kimenetű gate-meghajtó fejlesztőkártya teljesítményelektronikai modulok fejlesztői számára

A SemiSouth Laboratories bejelentette SGDR2500P2 típusjelű újdonságát. A dupla kimenetű, kétállapotú, opto-szigetelésű gate-meghajtó fejlesztőkártyával a vállalat célja, hogy a saját VJFET termékein alapuló, teljesítményelektronikai modulok fejlesztését támogassa

Szilícium-karbid JFET-ek high-end audió rendszerekhez

A szilícium-karbid (SiC) tranzisztortechnológia vezető fejlesztője, a SemiSouth Laboratories új sorozatú, kedvező árfekvésű SiC JFET termékekkel jelent meg, amelyek kiváló linearitási jellemzőik révén akár high-end audió-rendszerekben is megállják helyüket

A világ legkisebb ellenállású SiC teljesítménytranzisztora hatékony teljesítménymenedzsment alkalmazásokhoz

A nagyfeszültségű, nagy hatásfokú, ipari teljesítménymenedzsment és -konverziós alkalmazásokhoz szilícium-karbid (SiC) tranzisztortechnológiákat fejlesztő SemiSouth Laboratories bejelentette legújabb, 1200 V-os JFET-jeit rekord alacsony, 45 mΩ ellenállással. Az egyedülálló tulajdonságú tranzisztorokat a gyártó egy sor ipari alkalmazás igényeinek megfelelően alkotta meg, így napelemes invertereknél, kapcsolóüzemű tápegységeknél, indukciós fűtőrendszereknél, szünetmentes áramforrásoknál, szélerőműves rendszereknél, motormeghajtóknál egyaránt jól teljesítenek az új alkatrészek

Tudomány / Alapkutatás

tudomany

CAD/CAM

cad

Járműelektronika

jarmuelektronika

20240903-electronica 2024
TMS-2023-06-09
Rohde & Schwarz 2023
Phoenix – 2021_02

Rendezvények / Kiállítások

Mostanában nincsenek események
Nincs megjeleníthető esemény
Sicontact 20211025