A RFMD 0,25 mikrométeres, FD25 pHEMT gyártástechnológiája elsősorban a kiszajú, közepes teljesítményű és nagy linearitású rádiós alkalmazásokat (például kiszajú front-endeket és transzmittereket) támogatja. A 0,6 mikronos, FET1H pHEMT elsődleges megkülönböztető jellemzői az alacsony zajszint és nagy kapcsolási linearitás, ezáltal mindenekelőtt vezeték nélküli front-end és adóvevős rendszerekhez ideális. A két új gyártástechnológia kiváló kiegészítése az RFMD korábbi, 0,3 mikronos, FD30 név alatt ismert pHEMT gyártástechnológiájának, amelyet 2010-ben mutattak be, és az X-sávú teljesítményerősítőkhöz, valamint a 8 ... 16 GHz-es, szélessávú, katonai jelzavaró készülékekhez fejlesztettek ki.
A vezeték nélküli távközlési, űrkutatási, haditechnikai alkalmazások piaca világszerte nő, a hajtóerő mögöttük a folyvást nagyobb integrációt követelő, végfelhasználói alkalmazások, amely a félvezető technológia fejlődése nyomán elérhető. Ez a piaci igény ahhoz vezetett, hogy a félvezetőgyáraknak az új igényeknek megfelelő, rugalmas és nagyteljesítményű félvezető-gyártástechnológiákat kell kifejleszteniük. Az RFMD kiszajú FD25, nagy linearitású FET1H, valamint a korábban bemutatott FD30 gyártástechnológiái kiváló eszközöket adnak a félvezetőgyártók kezébe, amelyekkel megfelelhetnek a legújabb generációs alkalmazások igényeinek a félvezetőgyártás tekintetében.
