FőoldalArchívumHárom új teljesítmény MOSFET-et nagy hatásfokú DC/DC-átalakító alkalmazásokhoz
2010. szeptember 23., csütörtök ::

Három új teljesítmény MOSFET-et nagy hatásfokú DC/DC-átalakító alkalmazásokhoz

A Renesas Electronics bejelentette legújabb, tizenkettedik generációs teljesítmény MOSFET-jeinek, az RJK0210DPA, RJK0211DPA, és RJK0212DPA típusjelű termékeinek elérhetőségét. Az újdonságokat a Renesas nagy hatásfokú DC/DC-átalakítós alkalmazásokhoz (bázisállomások, számítógépes szerverek, notebook számítógépek stb.) ajánlja

Az új termékek rendeltetése a processzorok és memória-áramkörök feszültségátalakító körének vezérlése. Az új teljesítmény MOSFET-ek használhatók a telep által biztosított 12 V-os feszültség a CPU által használt 1,05 V-ra lekonvertálására is. A gyártási eljárás finomításával a Renesas-nál sikerült elérni, hogy az új MOSFET-ek jósági foka 40%-kal kedvezőbb legyen a vállalat házon belüli termékeihez képest. Ezzel a feszültség-átalakítás során keletkező teljesítményveszteség csökkenthető, és nagy hatásfokú DC/DC-átalakító rendszerek tervezhetők vele.

Az elmúlt évek láttán bizonyítottan tudjuk, hogy ahogy nőtt a szerverek, laptopok, grafikus kártyák stb. teljesítménye, úgy nőtt az energia-felvételük és fogyasztásuk is, továbbá ahogy csökkent a CPU-k, grafikus processzorok, memória-áramkörök, ASIC-ek stb. tápfeszültség-igénye, úgy nőtt az áramfelvételük. Mindez azt eredményezi, hogy alacsony feszültséget és nagy áramerősséget kezelni képes DC/DC-átalakítókra lett szükség. Továbbá az energiatakarékossági szempontok is azt diktálják, hogy a feszültségkonverzió során kisebb energiaveszteséggel és nagyobb hatásfokkal üzemeljen a rendszer.

A 25 VDSS feszültségtoleranciájú RJK0210DPA, RJK0211DPA, és RJK0212DPA típusnevű termékújdonságok maximális ID árama 40, 30, ill. 25 A, a VGS=4,5 V-on érvényes jósági tényezőjük 6,84 mΩ×nC, 7,83 mΩ×nC, ill. 7,2 mΩ×nC. Ez utóbbiak a Renesas korábbi teljesítmény MOSFET-jeihez képest mintegy 40%-os előrelépést jelent. Ez a megállapítás érvényes az újdonságok gate-drain töltéskapacitására (QGD) is, amely az előbbi felsorolásnak megfelelő sorrend szerint rendre 1,2, 0,9, ill. 0,6 nC. A QGD kisebb értékei kisebb kapcsolási veszteséget jelentenek, amelyek szintén hozzájárulnak a DC/DC-átalakító jobb hatásfokához és energiahatékonyságához.

A DC/DC-konverterek két teljesítmény MOSFET-tel üzemelnek, amelyek közül az egyik vezérlési, a másik szinkron egyenirányítási funkciót lát el. Ha a DC/DC-konverteres rendszerben a vezérlő szerepét az RJK0210DPA, a szinkron egyenirányítást pedig a RJK0208DPA látja el, a maximális teljesítménykonverziós hatásfok akár 90,6% is lehet 18 A-es kimenetnél, ill. 86,6% 40 A kimenetnél, 12 V→1,05 V feszültségkonverzió esetén. A feltüntetett számértékek 300 kHz kapcsolási frekvencia és kétfázisú konfiguráció esetén érvényesek.

Az új MOSFET-eket a WPAK típusú, 5,1×6,1×0,8 mm méretű tokozásába szerelik. Az áramkörök alsó oldalát hőátvezető kontaktusfelülettel látják el, aktívan bevonva a nyomtatott huzalozású hordozót is a hőelvezetésbe.

A Renesas Electronics honlapja

Lambert Miklós

ELEKTRONET szerkesztőbizottság elnöke

Tudomány / Alapkutatás

tudomany

CAD/CAM

cad

Járműelektronika

jarmuelektronika

Rendezvények / Kiállítások

Mostanában nincsenek események
Nincs megjeleníthető esemény