A Renesas Technology Europe egy tucatnyi, tizedik generációs teljesítmény MOSFET terméket jelentett be izolált DC/DC-átalakítókhoz.A szerveres, kommunikációs berendezéses és ipari alkalmazásra tervezett MOSFET-eknél érdemben csökkentették az energiahatékonyságot közvetlenül befolyásoló kapcsolási veszteségeket. A 40, 60, 80 és 100 V feszültségtűrésű eszközöket már sorozatban gyártja a Renesas. A tizenkét fajta termék gyártásához használt, tizedik generációs, 0,18 µm-es csíkszélességű gyártási eljárást már korábban is sikerrel alkalmazták azoknál a teljesítmény MOSFET-gyártásban (leginkább nem izolált DC/DC-átalakítóknál), amelyeknél különös hangsúlyt fektettek a bekapcsolási ellenállásra

E gyártási eljárásban optimalizálták a gate-drain töltést, amely a korábbi Renesas Technology termékekhez képest akár 50%-kal is kisebb lett. A gate-drain töltés kulcsfontosságú a teljesítmény MOSFET-ekben az alacsony kapcsolási veszteség szempontjából. Az RJK1056DPB típusjelű, 100 V feszültségtűrésű MOSFET gate-drain töltése például 7,5 nC, amely mintegy fele a Renesas korábbi HAT2173H termékénél látott 14,5 nC-nak, továbbá, a Renesas-féle, LFPAK nevű tokozás jelentősen jobb termikus disszipációs karakterisztikát biztosít, amely révén a teljesítmény, hatásfok és fogyasztás tovább optimalizálható. A hagyományos tokozásokkal (pl. SOP-8) ellentétben az LFPAK önmagában is hozzájárul a termék kisveszteségű karakterisztikájának erősítéséhez. Az LFPAK-ban a belső csatlakozásokat közvetlenül a kereten valósítják meg, jelentősen csökkentve a tokozás induktív ellenállását és stabilizálva az eszköz nagyfrekvenciás működését.

A Renesas honlapja