Új félvezető-anyagokat kísérleteztek ki. A két új anyag a jövőben a félvezetőiparban általánosan használt szilíciumot válthatja/egészítheti ki. Általuk a mai tranzisztorok vastagságának tizedét elérő méretű digitális kapuk is létrehozhatóvá válhatnak. A Stanford Egyetem kutatói szerint hafnium-diszelenid és cirkónium-diszelenid segítheti a félvezetőipart a Moore törvénynek való megfelelésben.
Minden mérnöki erőfeszítés ellenére a szilíciumon alapuló tranzisztorok nem lehetnek 5 nanométeresnél vékonyabbak. Amennyiben ezen méret alá próbálnak meg lemenni, az anyag tulajdonságai kedvezőtlen irányba változnak meg, ami tulajdonképpen ellehetetleníti a további méretcsökkentést. A hafnium-diszelenid és cirkónium-diszelenid szilíciummal való együtt használata azonban utat nyithat ezen a téren is.
Az oxid rétegek segítenek a félvezetőben elkülöníteni az áramkört, egyben védve is azt a nem kívánt külső hatásoktól. Eric Pop, a Science Advances újságban megjelent tanulmány társszerzője, egyben a Harvard Egyetem elektromérnök professzora szerint a szóban forgó két új anyag esetében úgynevezett magas-K szigetelőket hoznak létre, ezzel pedig a szilícium és szilícium-oxid szigetelőréteg használatához képest is még alacsonyabbá válhat az elektromos áramkörök energiaigénye. A kutatók állítása szerint mindössze három atom vastagságú tranzisztorok is létrehozhatók. A még kisebb digitális kapuk vékonyabb, energiahatékonyabb chipeket jelentenek, amiket szerte az iparban, de különösen a mobileszközök területén tudnának hasznosítani a piaci szereplők.
Mindazonáltal nem valószínű, hogy a közeljövőben találkozni fogunk az új anyagokkal elektronikai eszközeinkben. A stanfordi kutatók közlése értelmében további fejlesztésekre van szükség, például a tranzisztorok és az áramkörök közötti kapcsolat javítása az egyik, megoldandó feladat. Ezen felül a szigetelőréteg megbízhatóságának növelését is fokozni kell ahhoz, hogy tömeggyártásba kerülő alapanyaggá válhassanak.
