Január elején az északnyugat-kínai Xidian Egyetem tudósai bejelentettek egy új „szuperhűtési” megoldást a gallium-nitrid félvezetők számára. Állításuk szerint ezzel körülbelül 40%-kal növelhetik nemcsak a katonai radarok, de a jövőbeli vezeték nélküli hálózatok teljesítményét is.
A kutatók szerint a megoldás a különböző anyagokat összekötő rétegben rejlik. A hagyományos módszerek alumínium-nitridot használnak köztes rétegként. Ez azonban a növekesztés közben egyenetlen szigeteket képez, nem pedig sima réteget. Ezek a szabálytalanságok hőt fognak be, növelve a hőellenállást, rontva a teljesítményt. A Xidian csapat kidolgozott módszerrel a véletlenszerű folyamatot egységessé alakítva pontosan szabályozzák, hogyan nő ez a réteg. Ennek eredményeként a hőellenállás körülbelül egyharmadával csökkent a hagyományos megoldásokhoz képest.
A hűtési áttörésre építve a kutatók kifejlesztettek egy gallium-nitrid mikrohullámú eszközt is, amely képes erősíteni a radarokban és 5G-rendszerekben használt nagyfrekvenciás jeleket. Az új chipeket extrém teljesítményre tervezték az X és Ka frekvenciasávokban. Ezek a sávok elengedhetetlenek a modern tűzvezető radarokhoz, műholdas kapcsolatokhoz és gyors vezeték nélküli adatátvitelhez. Gyakorlatilag ez azt jelenti, hogy a radarrendszerek erősebb jeleket tudnak továbbítani és gyengébb visszhangokat fogadni anélkül, hogy növelnék a chip méretét, súlyát.
Az eredményeket a Nature Communications folyóiratban közölték.
Forrás: szöveg és kép: www.nature.com
