Új gyártóépületekkel növeli kapacitását a különféle memóriáiról ismert SK Hynix. A dél-koreai vállalat ezzel elsősorban a NAND flash chipek és a DRAM-ok iránti emelkedő keresletre reagálna, mivel az igény jelenleg felülmúlja a gyártókapacitást, és hosszútávon előreláthatólag nőni fog a kereslet. A memóriagyártó ezért két helyszínen is bővít: Dél-Korea mellett a kínai üzemük is további épületekkel gyarapodik majd.
Karácsony előtt jelentették be, hogy az SK Hynix összesen 3,16 billió wont (2,7 milliárd dollár) fektet be, melyből 2,2 billió won (1,88 milliárd) jut a Cshongdzsu városában megvalósuló dél-korai beruházásra. A tervezés januárban kezdődik, az építkezés 2017 augusztusában indulhat meg. Optimális esetben 2019 júniusában pedig beindulhat a termelés, melynek mértékét majd az évtized végi igényeknek megfelelően szabja meg a vállalat. A cég a 2008-ban beindított, kifejezetten a NAND flash lapkák gyártásához épített komplexumát bővíti tovább.
A NAND-ok mellett a kínai üzemének DRAM gyártókapacitást is bővíti a vállalat. A Vuhsziban található gyárkomplexumba 950 milliárd wont (0,82 milliárd dollár) önt az SK Hynix. A 2006-ban megnyitott üzem kiemelt fontossággal bír a cég számára, az ugyanis a teljes DRAM gyártókapacitás nagyjából felét adja. A bővítés legfőbb okát a fejlettebb technológiák szolgáltatják. Ugyanis 20 nanométer alatt jelentősen nő a komplexitás, ami újabb lépcsőket iktat be a gyártási folyamatba. Az ehhez szükséges eszközöknek helyet kell biztosítani, ami további szabad terület híján a gyártókapacitás csökkenését eredményezheti. Ezért a kínai üzem bővítése a tisztaszoba területének növelését célozza, melynek munkálatait jövő júliusban kezdi el a vállalat, 2019 áprilisában pedig már használatba is veheti az elkészült részeket.
További hír, hogy iparági pletykák szerint az SK Hynix egy vegyesvállalat létrehozásán dolgozik a Seagate-tel, ahol a két vállalat közösen fejlesztene nem volatilis memóriákat.
