Együtt készítheti el következő generációs NAND flash memóriachipjeit és SSD-it a Sandisk és a Toshiba. A két vállalat együttműködésének első lépésként a Toshiba megkezdi Fab 2 félvezetőgyárának lebontását a japán Yokkaichiben, ennek helyén pedig szeptemberben új létesítmény felépítésébe kezd, amelybe a megállapodás alapján a Sandisk is befektet. A cégek szerint a várhatóan 2015 nyarára elkészülő új üzemben 2016-ban már megkezdik a három dimenziós NAND flash memóriachipek gyártását.
A Toshiba arról egyelőre nem beszélt, hogy az új gyárból várhatóan mekkora kapacitású termékek kerülnek majd ki, mindössze annyi tudható, hogy a tárolók képességei a piaci trendeknek megfelelően alakulnak. A két vállalat megállapodása elemzők szerint nagyjából 4,84 milliárd dolláros üzletet jelent. Ennek keretében egy földrengésbiztos, környezetbarát üzemet húznak fel, melynek széndioxid kibocsátása a tervek szerint 15 százalékkal lesz kisebb mint Yokkaichi telep jelenlegi legmodernebb gyáráé.
A 3D NAND chipek esetében egyszerre több wafer réteget használnak, amelyet függőlegesen helyeznek egymásra. Erre azért van szükség, mert a memórialapkákban a cellák méretének csökkentésével azok élettartama és írási sebessége is meredeken esik a köztük lévő interferencia miatt, így a kapacitássűrűség növelése az élettartam és teljesítmény visszaesésével jár. Elsőként a Samsung kezdte el ezt a megoldást alkalmazni a flashalapú tárolók skálázódási problémájára, így készült V-NAND chipjei pedig tavaly augusztusban sorozatgyártásba is kerültek. A lapkák a gyártó szerint tízszer megbízhatóbbak, azaz tízszer annyi írási ciklust bírnak ki, mint a hagyományos flash memóriachipek, valamint kétszer gyorsabbak is azoknál. A Samsung még ugyancsak augusztusban be is jelentette első, elsősorban vállalati felhasználásra szánt, 960 és 480 gigabájt kapacitású V-NAND SSD-it.
