FőoldalSzerzőinkDr. Sipos Mihály
Feliratkozás az RSS csatornára

Dr. Sipos Mihály

Új elnök a magyar Samsung élén

A korábbi alelnök, Choi Hwan Seog lett a Samsung Electronics Magyar Zrt. elnöke – közölte a dél-koreai televíziókészülék, mobiltelefon és digitális megoldásszállító cég magyarországi leányvállalata. Choi Hwan Seog május 11-től látja el a vállalat elnöki teendőit

Csődöt jelentett a német napenergia nagy reménysége, a Solarworld

Az MTI híre szerint a német napelem ipar büszkesége úszik az adósságban, ezért csődöt jelentett. A napelemek világpiaci ára 2016-ban ötödével csökkent a kínai termelési kapacitás növekedése miatt. A Solarworld szerint a kínai gyártók árdömpinget alkalmaznak

Lítium helyett nátrium és magnézium?

A Chemical Communications című folyóiratban megjelent tanulmány szerint svájci kutatók új ionvezetők kifejlesztésével olyan akkumulátor-prototípusokat készítettek, amelyek alapanyaga a gyúlékony és robbanásveszélyes lítium helyett nátrium és magnézium

A japánok lítium-ion akkukat gyártatnak Indiában

A Suzuki, a Toshiba és a Denso közös vállalkozás indításáról állapodott meg az Indiában készülő lítium-ion autó akkumulátorok gyártására

Újrahasznosított üvegből hoztak létre nagy kapacitású akkumulátorokat

A Riverside-i Kaliforniai Egyetem kutatóinak igen különleges ötlete van arra, hogy miként hasznosíthatnánk újra a szeméttelepen felhalmozódó üvegeket

Mennyibe kerül egy Galaxy S8 legyártása a Samsungnak?

A Samsung Galaxy S8 az utóbbi idők egyik legfelkapottabb mobilja, és meglehetősen borsos áron kínálják

Nem lesz több fejlesztői konferencia az Intelnél

Már az idei eseményt sem tartja meg a cég...

Az Ipar 4.0 a HR feladatokban is új kihívást jelent

A Deloitte felmérése szerint az Ipar 4.0 a vállalkozások humán erőforrás (HR) menedzsmentjét új feladatokkal szembesíti

Kukába a Moore-törvénnyel?

A Hewlett Packard Labs. nagynevű kutatója, R. Stanley Williams szerint a Moore-törvény a halálán van, és így a lapkagyártók végre rákényszerülnek, hogy új tervezési megoldásokban gondolkodjanak

Gate-All-Around tranzisztorokra alapozva fejlesztene a Samsung

Már 7 nanométeren leváltaná a FinFET-et a koreai óriás. Egy lépéssel ugraná át konkurenseit a Samsung: tömegtermelésben elsőként vetné be a GAA (Gate-All-Around), vagy más néven nanohuzal tranzisztorokat. A ma már a legtöbb bérgyártó kínálatában elérhető FinFET tranzisztorok egyik potenciális utódjának számító alternatíva több előnnyel kecsegtet, ezért cserébe viszont előbb vagy utóbb újabb kockázatot jelentő kihívásokkal kell szembenézniük a mérnököknek

71. oldal / 201

Tudomány / Alapkutatás

tudomany

CAD/CAM

cad

Járműelektronika

jarmuelektronika

20240903-electronica 2024
Rohde & Schwarz 2023
Phoenix – 2021_02
TMS-2023-06-09

Rendezvények / Kiállítások

Mostanában nincsenek események
Nincs megjeleníthető esemény
Sicontact 20211025