Az IOPscience híre szerint a Tsukubai Egyetem és a Dowa Electronics Materials csapata zafír szubsztráton alumínium-nitrid (AlN) kristályokat használt a chip megalkotásához. Si-implantált AlN csatornákkal rendelkező fém-félvezető FET-eket hoztak létre. Mint ismeretes, az AlN esetében a félvezető tiltott sávja 6,0 eV szélességű, ami magasabb hőmérsékleteken kifejezetten előnyös lehet.
A kutatócsoport sikeresen demonstrálta, hogy a nikkelelektródák használatával egy 610 V-os Schottky-dióda minden korábbi rekordot felülmúló, 827 °C-on (1100 K) is működik. A szakemberek állítják, hogy ezek az eszközök a gyakorlatban is megépíthetők, majd alkalmazhatók, mivel az alumínium-nitrid rétegeket nagy méretű, olcsó zafír szubsztrátokon növesztették, ami meglehetősen egyszerű szerkezet. A Hironori Okumura, Yasuhiro Watanabe és Tomohiko Shibata szerzőtrió szerint a kutatás új utakat nyit például a föld alatti bányászatban, acélgyártásban, űrkutatásban és repülésben alkalmazott félvezetők akár 800 °C feletti üzemeltetéséhez, ami nagyban növeli a műveletek hatékonyságát.
Forrás: iopscience.iop.org
