Az MIT News egy új ultravékony ferroelektromos anyag kifejlesztéséről számolt be, amely alkalmasnak látszik memória áramkörök készítésére. A különleges anyagot még 2021-ben fedezték fel a Massachusettsi Műszaki Egyetem (MIT) fizikusai. Az azóta eltelt időben kifejlesztették és tesztelték a belőle készített első tranzisztort.
Pablo Jarillo-Herrero és Raymond Ashoori professzorok olyan többrétegű anyagokat kutattak, amelyekben a pozitív és negatív töltések külön rétegeken helyezkednek el. Az eredmény egy olyan molekuláris kapcsoló lett, ami minden szempontból felülmúlja a jelenlegi technika képességeit. Az anyag két darab atomnyi vastagságú bór-nitrid rétegből áll, amiket a természetben nem előforduló formában, 180 fokkal elforgatva helyeztek egymásra. A hatszögletű molekuláris rácsok áram hatására elmozdulnak egymás felett, és így megváltoztatják az anyag polarizációját. Ráadás, hogy szobahőmérsékleten is működik, és a beállított tulajdonságot stabilan megtartja.
Ashoori szerint a technológia lényege abban áll, hogy a rétegeket pár angströmmel elmozdítva radikálisan más elektronikát kapunk. Ashoori továbbá úgy vélte, hogy egész fizikusi karrierjében ez lesz az az eredmény, ami egy-két évtized alatt megváltoztatja a világot.
A laboratóriumi vizsgálatok igazolták a tranzisztor kitűnő tulajdonságait:
- Nagyon gyors: a két állapot közötti váltás nanoszekundumos időtartam alatt megtörténik.
- Nagyon tartós: 100 milliárd kapcsolás során nem mutatkoznak kopás vagy minőségromlás jelei.
- Nagyon nagy adatsűrűségű memória építhető belőle, a működtetése nagyon kicsi energiaigényű.
Az anyag kutatása tovább folyik, mert még nem ismert van-e elméleti felső határ a kapcsolások (elmozdulások) számában. Tovább kell még tanulmányozni a rétegek elmozdulásának módját, illetve hogy az anyag vezérelhető-e fénnyel is. További problémát jelent, hogy az előállítása meglehetősen bonyolult, így ipari termelésbe vitelének az időpontja egyelőre nem megjósolható.
Forrás: szöveg és kép: news.mit.edu
