A dél-koreai cég három évvel ezelőtt készült el a PRAM, vagyis a phase-change memory prototípusával, de csak napjainkra lett a termék piacéretté.A PRAM-mal kapcsolatos technológiával már negyven éve folynak a kutatások

A phase-change arra az állapotváltozásra utal, amikor az adat beírása során megváltozik a hordozóanyag kristályszerkezete, befolyásolva annak elektronikus vezetési tulajdonságait. Ezt a változást időben és térben rendkívül koncentráltan fellépő hő okozza, amely akár néhány nanoszekundum alatt is végbemehet. Értelemszerűen nemfelejtő memóriatípusról van szó. A magas elektronikai ellenállású állapot jelentheti az 1-est, az alacsony pedig a 0-t, ez persze felcserélhető.
A PRAM-ra jelenleg a tranzisztorok egyre nehezebbé váló miniatürizációjának alternatívájaként tekintenek a memóriatechnológiák területén. Sikere nagyban függ attól, hogy a vállalatok mennyire eredményesen oldják meg a NOR-, NAND-flash és DRAM-chipek, cellák méreteinek zsugorítását. A jelek szerint a következő 4-5 év során lényegében mindez garantált, így legkorábban ez időtájt számíthat szélesebb népszerűségre. A Samsung szerint a PRAM a legjobb skálázhatóságot ígéri a jelenlegi kutatás alatt lévő technológiák közül.
Sokan a PRAM-ra mint minden problémák megoldójára tekintenek, mivel egyesíti a flash és a DRAM jellemzőit, vagyis egy olyan nemfelejtő memória, melyet random is el lehet érni, méghozzá nagy sebességgel. Mindez azt jelenti, hogy megalkotható egy olyan architektúra, ahol a háttértár és operatív memória szerepét egyetlen chip tölti be. A PRAM ráadásul ellenáll a háttérsugárzásnak, alacsony bithibarátát ígér, és praktikusan végtelenszer írható. A PC-k vagy szerverek terén mindez egyelőre utópia, a mobiltelefonok terén azonban talán már nincs is olyan messze ez az alkalmazási mód.