A LED-es világítótesteknek van egy nagy hátránya: a diódákból kivett fényenergia mennyiségének növelésével hirtelen leromlik a hatásfok. Dél-koreai kutatók biztató kezdeti eredményeket értek el

Közismert, hogy a LED-ek rendkívül jó hatásfokkal alakítják át az elektromos energiát fénnyé. Sajnos azonban egy adott fényenergiaszint fölött intenzív hatásfokesés következik be, amelynek még nem ismerjük az okát. Ez a "hatásfokesés" az oka, hogy az 1 ... 2 W-os LED-lámpák 8 ... 16 apró LED-et kell tartalmazzanak ahhoz, hogy a lámpa megfelelő hatásfokkal működjön és ugyanakkor kellő fényt is adjon.
A dél-koreai Gwangju Intézet kutatói a GaN-InGaN diódát vizsgálták meg a hatásfokesés okának kiderítése céljából. A dióda kialakításakor indiumot visznek be gallium-nitrid félvezetőbe. A jelenleg alkalmazott módszer mellett a két anyag tartományát egy rendkívül vékony átmeneti réteg választja el egymástól. A diódán átfolyó áram növelésekor ebben a rétegben egyre növekvő, az elektronok áramlását gátló elektromos tér keletkezik, ami lerontja a hatásfokot. Seong-Ju Park és munkatársai szerint akkor, ha az indiumot fokozatosan viszik be az alapanyagba, az átmeneti réteg sokkal szélesebb és kevésbé meredek változású lesz. Így csak nagyobb teljesítményeknél válik jelentőssé a gátló hatás. Az új eljárással készült LED nagyobb teljesítményeknél az energia 28,4 százalékát alakította át fénnyé, míg a hagyományos eljárással készült dióda csak 23,9 százalékát.