A Samsung és a Globalfoundries szerint a 20 nanométeres (planáris) eljárást a legtöbb nagy ügyfél gyorsan maga mögött hagyja majd és igyekszik átállni 14 nanométerre, ami a korábban széles körben használt 28 nanométeres eljáráshoz képest jelentős előnyt kínál teljesítmény, fogyasztás és méret terén is. A két cég által kiadott közlemény szerint a Samsung által fejlesztett 14 nanométeres FinFET ("3D tranzisztor") eljárás a korábbi generációs, 20 nanométereshez képest jó esetben 20 százalékkal magasabb teljesítményt és/vagy 35 százalékkal alacsonyabb fogyasztást tesz lehetővé. A fizikai méretcsökkenés 15 százalék körüli lehet, vagyis ugyanazt az áramkört 14 nanométeres eljárással gyártva 15 százalékkal kisebb lesz a chip a 20 nanométeresnél. Az eljárás chiptervezői szemmel sokban hasonlít a korábbi 20 nanométeresre, így ha valaki jártasságot szerzett a Samsung 20 nanométeres csíkszélességén, az könnyen tud majd dolgozni ezzel is.
A Globalfoundries termékmenedzsment-vezetője, Ana Hunter a Wall Street Journalnak elmondta, a Samsunggal kötött szerződést az ügyfelek igénye hívta életre. A fabless gyártók, vagyis a saját chipgyár nélküli, szerződéses gyártókkal dolgozó cégek számára előnyt jelent, hogy több gyártónál áll rendelkezésre ugyanaz a technológia. Így nagyobb szabadságot kapnak a gyártópartner megválasztásában, miközben ez a mozgás nem jár komoly költségekkel, a chipdesignt nem kell eltérő technológiákhoz igazítani, ami hosszas és költséges folyamat. Arról nem esett szó, hogy melyek lehetnek az ügyfelek, de valószínűleg az Apple lehet az egyik - a cég az iPhone-ok processzorait jó ideje a Samsunggal gyártatja, de régóta tudni, hogy szeretne más partnert bevonni, hogy ne egy közvetlen versenytársat támogasson. A másik szóba jöhető cég a Qualcomm lehet, amely elsődlegesen a TSMC-nél gyártat, de beleütközött már kapacitásproblémákba.
A költségekről viszont egyelőre keveset tudni. Iparági becslések szerint a TSMC-nél például 25 százalék körüli drágulást jelentett azonos szilíciumterületre vetítve a 20 nanométeres csíkszélességű gyártás a 28 nanométereshez képest, mert a kisebb csíkszélesség már „double patterninget", azaz kétszeres levilágítást igényelt, amely extra költséggel járt. Kérdés, a 14 nanométeres FinFET technológia megnöveli-e annyira a kapusűrűséget, hogy ezt ellensúlyozni tudja.
A Samsung a tervek szerint 2014 végén vezeti be tömegtermelésbe 14 nanométeres eljárását a koreai Hwaseongban és a texasi Austinban található gyáraiban, a Galobalfoundries pedig 2015-től kezdi kiszolgálni ügyfeleit ezzel a technológiával a New York-i Saratogában található üzeméből. Az ügyfelek számára a saját chipjeik megtervezéséhez és a technológián történő implementációhoz szükséges dokumentációk, design kitek és egyéb eszközök mostantól érhetők el a közös közlemény szerint. A két cég az együttműködés kiterjesztését is fontolgatja olya területeken mint a közös IP-blokkok és standard cellák.
Az AMD chipgyártási tevékenységének leválasztásából született, arab tulajdonú Globalfoundries korábban is szoros technológiai fejlesztési kapcsolatot ápolt a Samsunggal, valamint az IBM-mel - az, hogy a mostani megállapodásban a Nagy Kék már nem érintett, arra engedhet következtetni, a vállalat valóban arra készül, hogy kiszálljon a szerződéses félvezetőgyártók közül. Egyes hírek szerint a tevékenységet pont a Globalfoundries veheti meg, a vállalatok állítólag már tárgyalnak a részletekről.
Először az Intel alkalmazott FinFET technológiát, még 22 nanométeren, és láthatóan küszködik a 14 nanométeres eljárással: a tervek szerint 2013 végén kellett volna elindulnia a 14 nanométeres Broadwell chipek tömegtermelésének, erre azonban csak idén tavasszal kerül sor. Iparági szakértők szerint a szerződéses gyártók (köztük a Samsung és a Globalfoundries) is bele fognak futni technológiai problémákba, ráadásul mivel nem szereztek tapasztalatot korábban FinFET eljárásokkal, a megoldásuk is tovább tarthat mint az Intelnél.
