Az EE Times cikke szerint az extrém ultraibolya (EUV) fénnyel dolgozó félvezetőgyártási eljárást alkalmazó cégek véletlenszerűnek tűnő hibákról beszélnek, melyek selejtes lapkákat eredményeznek. Az iparágban sztochasztikus hatásnak is nevezett jelenség megosztja a szakembereket. Egyik részük szerint ez csak az EUV tanulási folyamatának velejárója, amelyet a korábban jelentkezett különféle problémákhoz hasonlóan idővel majd megoldódik. A szkeptikusabb csoport szerint a problémák azt bizonyítják, hogy a hosszú évek óta halogatott ultraibolya fénnyel dolgozó eljárás sosem fog szélesebb körben elterjedni.
A problémákról a három nagy bérgyártó (GlobalFoundries, Samsung, TSMC) mindegyike beszámolt. Az egyöntetű tapasztalat nem meglepő, hisz a szóban forgó trió hasonló úton jár a technológia bevezetésében, hasonló berendezéseket használnak. A GlobalFoundries például elmondta, hogy a jelenleg rendelkezésükre álló ASML NXE3400 levilágító nem felel meg maradéktalanul az igényeiknek. Emiatt jelenleg némi bizonytalanság lengi körül az EUV-t alkalmazó első, 7 nanométeres eljárásukat, amely könnyen eredményezhet a bérgyártó háza táján egyáltalán nem ritka csúszást is. A berendezéseket készítő holland cég amúgy már dolgozik következő generációs, a jelenlegi, minimum szintet jelentő 250 wattnál vélhetően nagyobb teljesítményre képes EUV levilágítóján. Erre viszont jelen állás szerint a rendkívül távolinak hangzó 2024 előtt nem lehet számítani, így az 5 nanométeres eljárásokat valószínűleg az aktuális eszközökkel kell majd áthidalni.
A GlobalFoundries kutatási részlegének igazgatója, George Gomba az 5 nanométeren szerzett tapasztalatait hozta fel példaként, ahol apró, bemetszésekre hasonlító háromdimenziós töréseket és szakadásokat tapasztaltak a tesztáramkörök rajzolataiban. Bizonyos esetekben nem a maszkoknak megfelelő kialakítás jött létre, amely vagy hiányzó, vagy összefolyó érintkezőkben (bridging) manifesztálódott, értelemszerűen mindkét variáció hibás áramköri egységet eredményez. Gomba szerint ennek egyik oka lehet, hogy az EUV-hez tervezett maszkokhoz szükséges fotokémiai ellenőrzőrendszerük még nincs készen.
Greg McIntyre, a félvezetőipari kutatásokkal foglalkozó IMEC szakembere szerint még olyan nyitott fizikai kérdésekre is keresik a választ, hogy pontosan hány darab elektron, illetve milyen kémia anyagok keletkeznek az extrém ultraibolya fény és a fotoemulziós anyaggal bevont szilíciumostyák találkozásakor. A szakember megjegyzi, hogy eddig nagyjából 350 kombinációt próbáltak ki, ahol a különféle fényérzékeny anyagokat és levilágítási módszereket kereszteztek.
A lehetséges megoldással/megoldásokkal kapcsolatban tehát egyelőre még a meghatározó piaci szereplők is sötétben tapogatóznak. Gomba szerint amennyiben a következő néhány évben sem sikerül áttörést elérniük, úgy a szkeptikusoknak lehet igazuk, vagyis az EUV eljárásokat csak a bonyolultabb, drágább lapkák gyártásánál, például a nagyteljesítményú processzoroknál éri majd meg bevetni, ezeknél ugyanis megtérülhet a rendkívül költséges gyártási folyamat. Amennyiben a rejtélyes hibákra nem lesz megoldás, úgy az áramkörök tervezését is újra kell gondolni, a jelenlegieknél lényegesen redundánsabb dizájnokra lesz szükség, hogy a hibás részek letiltásával is teljes értékű termékeket lehessen előállítani – ahhoz hasonlóan, ahogy például a GPU-k esetében már egy ideje terveznek a gyártók.
