FőoldalKonstruktőrMég mindig komoly kihívás a félvezetőgyártóknak az EUV technológia
2018. március 08., csütörtök ::

Még mindig komoly kihívás a félvezetőgyártóknak az EUV technológia

Az extrém ultraibolya fénnyel dolgozó félvezetőgyártási eljárások kifejlesztése továbbra is kemény dió. A nagy piaci szereplők mindegyike problémákkal küzd

Az EE Times cikke szerint az extrém ultraibolya (EUV) fénnyel dolgozó félvezetőgyártási eljárást alkalmazó cégek véletlenszerűnek tűnő hibákról beszélnek, melyek selejtes lapkákat eredményeznek. Az iparágban sztochasztikus hatásnak is nevezett jelenség megosztja a szakembereket. Egyik részük szerint ez csak az EUV tanulási folyamatának velejárója, amelyet a korábban jelentkezett különféle problémákhoz hasonlóan idővel majd megoldódik. A szkeptikusabb csoport szerint a problémák azt bizonyítják, hogy a hosszú évek óta halogatott ultraibolya fénnyel dolgozó eljárás sosem fog szélesebb körben elterjedni.

A problémákról a három nagy bérgyártó (GlobalFoundries, Samsung, TSMC) mindegyike beszámolt. Az egyöntetű tapasztalat nem meglepő, hisz a szóban forgó trió hasonló úton jár a technológia bevezetésében, hasonló berendezéseket használnak. A GlobalFoundries például elmondta, hogy a jelenleg rendelkezésükre álló ASML NXE3400 levilágító nem felel meg maradéktalanul az igényeiknek. Emiatt jelenleg némi bizonytalanság lengi körül az EUV-t alkalmazó első, 7 nanométeres eljárásukat, amely könnyen eredményezhet a bérgyártó háza táján egyáltalán nem ritka csúszást is. A berendezéseket készítő holland cég amúgy már dolgozik következő generációs, a jelenlegi, minimum szintet jelentő 250 wattnál vélhetően nagyobb teljesítményre képes EUV levilágítóján. Erre viszont jelen állás szerint a rendkívül távolinak hangzó 2024 előtt nem lehet számítani, így az 5 nanométeres eljárásokat valószínűleg az aktuális eszközökkel kell majd áthidalni.

A GlobalFoundries kutatási részlegének igazgatója, George Gomba az 5 nanométeren szerzett tapasztalatait hozta fel példaként, ahol apró, bemetszésekre hasonlító háromdimenziós töréseket és szakadásokat tapasztaltak a tesztáramkörök rajzolataiban. Bizonyos esetekben nem a maszkoknak megfelelő kialakítás jött létre, amely vagy hiányzó, vagy összefolyó érintkezőkben (bridging) manifesztálódott, értelemszerűen mindkét variáció hibás áramköri egységet eredményez. Gomba szerint ennek egyik oka lehet, hogy az EUV-hez tervezett maszkokhoz szükséges fotokémiai ellenőrzőrendszerük még nincs készen.

Greg McIntyre, a félvezetőipari kutatásokkal foglalkozó IMEC szakembere szerint még olyan nyitott fizikai kérdésekre is keresik a választ, hogy pontosan hány darab elektron, illetve milyen kémia anyagok keletkeznek az extrém ultraibolya fény és a fotoemulziós anyaggal bevont szilíciumostyák találkozásakor. A szakember megjegyzi, hogy eddig nagyjából 350 kombinációt próbáltak ki, ahol a különféle fényérzékeny anyagokat és levilágítási módszereket kereszteztek.

A lehetséges megoldással/megoldásokkal kapcsolatban tehát egyelőre még a meghatározó piaci szereplők is sötétben tapogatóznak. Gomba szerint amennyiben a következő néhány évben sem sikerül áttörést elérniük, úgy a szkeptikusoknak lehet igazuk, vagyis az EUV eljárásokat csak a bonyolultabb, drágább lapkák gyártásánál, például a nagyteljesítményú processzoroknál éri majd meg bevetni, ezeknél ugyanis megtérülhet a rendkívül költséges gyártási folyamat. Amennyiben a rejtélyes hibákra nem lesz megoldás, úgy az áramkörök tervezését is újra kell gondolni, a jelenlegieknél lényegesen redundánsabb dizájnokra lesz szükség, hogy a hibás részek letiltásával is teljes értékű termékeket lehessen előállítani – ahhoz hasonlóan, ahogy például a GPU-k esetében már egy ideje terveznek a gyártók.

Forrás

Tudomány / Alapkutatás

tudomany

CAD/CAM

cad

Járműelektronika

jarmuelektronika

Led technológia

Led technológia

Rendezvények / Kiállítások

Mostanában nincsenek események
Nincs megjeleníthető esemény