Az IBM a sikert csak a Globalfoundries és a Samsung triászával együtt tudta elérni. Szilícium nanolapokkal kísérletezve próbáltak a korábbinál még kisebb méretekben alkotni, és erőfeszítéseiket siker koronázta. A mostani bejelentésig a FinFET design legaljának a 7 nanométeres csíkszélességet tartották. Az úgynevezett GAAFET technológia határai ráadásul elméletben még messzebb vannak. Kutatók szerint a 3 nanométeres gyártási eljárás is sikeresen összehozható lehet, amivel Moore törvényének érvényessége további három-öt évig kitolható.
Extrém ultraibolya (EUV) litográfiai eljárással érték el az áttörést, vagyis ezen a téren továbbra sincs változás. A trükk a már említett nanolapokban rejlik: ezek segítségével olyan, nagymértékben konfigurálható lapkák hozhatók létre, melyek 30 milliárd tranzisztort is tartalmazhatnak egy ujjkörömnyi felületen. Az 5 nanométeres gyártási eljárás ugyanakkora tápfeszültség mellett 40 százalékkal nagyobb teljesítményű chipeket eredményez, illetve hasonló teljesítmény esetén 75 százalékos energiafelhasználást tesz lehetővé.
Az IBM elsősorban a Watson és más, mesterséges intelligenciával kapcsolatos fejlesztése esetében tervezi alkalmazni az eljárást. Emellett az IoT eszközök profitálhatnak sokat az új eljárásból; a dolgok internetének eszközei esetében egyébként is alapvető követelmény a fogyasztás minimalizálása, ebben segíthetnek a szilícium nanolapok.
Az IBM egyébként saját kis versenyt fut az Intellel, ahol szintén a Moore törvény életben tartásán dolgoznak. A megszokott gyártástechnológiai vetélkedés azonban sokak szerint a következő évtized közepéig véget fog érni – az előttünk álló nagyjából 5-6 év fejlesztései után érkezünk el az általunk ismert fizikai határokhoz. Azt persze senki nem írja elő, hogy feltétlenül szilícium-alapokon kell a félvezetőiparnak működnie, ahogy a kvantumszámítástechnika területén is bekövetkezhet olyan áttörés, ami újfent kitolja a fejlődés határait.
