A Western Digital ugyanis bejelentette, hogy elkészült 3D ReRAM fejlesztési munkálataival. A megoldást kimondva-kimondatlanul az Intel-Micron blokk 3D XPointja ellen szánnák.
A vállalat egyelőre nem bocsátkozott mélyebb részletekbe a ReRAM-mal kapcsolatos terveit illetően, egyelőre annyit tudni, hogy első körben SCM (Storage Class Memory) termékekhez szeretnék felhasználni a memóriát. Az ilyen, jellemzően vállalati környezetben alkalmazott fejlesztések a rendszermemória és háttértár szerepét egyesítik a DRAM-nál nagyobb kapacitással (olcsóbban), a NAND-nál pedig gyorsabb, nem volatilis (nem felejtő) megoldásban.
A prezentáció során a vállalat elmondta, hogy a ReRAM gyártása és (tovább)fejlesztése során számos, a NAND-oknál alkalmazott alapvető technológiát és eszközt tudnak felhasználni, ezzel pedig mérsékelhetik az úttörő megoldások esetében jellemzően igen magas kiadásokat. Sokat segíthet például a rétegzés: a 3D NAND-oknál megismert módon a cellák több, úgynevezett layerben fekszenek egymáson egyetlen szilíciumlapkán belül. A módszerrel növelhető a bitsűrűség, ezzel pedig egységnyi tárterület gyártási költsége jelentősen csökkenthető. A cég jelenleg úgy számol, hogy a 3D NAND (BiCS) gyártási költségének jelenlegi szintjét nagyjából 2022 környékén érheti el az új fejlesztés.
A vállalat egyelőre arról sem beszélt, hogy pontosan mikorra várhatóak az első 3D ReRAM-alapú termékek, de a szűk szavú közleményből arra lehet következtetni, hogy jó esetben még legalább egy év kellhet a piaci rajthoz. A Western Digitálnak nincs vesztegetni való ideje, a konkurens 3D XPoint technológiára épülő termékek már a küszöbön vannak. Az Intel Optane SSD meghajtóinak első hulláma már az év végén megérkezhet, a partner Micron pedig jövő év közepére ígéri a QuantX termékek első tagjait.
Az Intel-Micron fázisváltáson alapuló PRAM, azaz a 3D XPoint technológia a hordozóanyag kristályszerkezetének átalakulásával változó vezetési tulajdonság jelenségére épít - egy bizonyos, megfelelő áramerősséggel elért hőmérséklet felett kristályosodni kezd az anyag, amit kihűlést követően megőriz, a "törléshez" pedig ismét fel kell hevíteni, ezúttal olvadási pontig. A két állapot eltérő elektromos ellenállással rendelkezik, amelyhez bináris érték rendelhető, így például a nagyobb ellenállást eredményező amorf jelentheti az 1-est, az alacsonyabb ellenállású kristályos állapot pedig a 0-t. Az egyes állapotok fenntartásához itt sem szükséges elektromos töltés.
