A Samsung korábbi nyilatkozata alapján a 10 nanométeres gyártástechnológiáját új alapokra helyezte. A hírek szerint a FEOL (front-end-of-line) mellett a BEOL (back-end-of-line) is változott, melyhez korábban, a 20-ről 14 nanométerre való áttérésnél nem nyúltak a mérnökök. A dél-koreaiak igyekezete érthető, hisz a legfőbb tét a következő, két év múlva esedékes az „s” végződésű iPhone rendszerchipjének gyártási megbízása. Ebben a TSMC a nagy rivális, mely céggel az aktuális 6s készülékek lapkáit megosztva gyártják. Jelen állás szerint úgy fest, hogy a Samsung sikerrel előzte be tajvani bérgyártó riválisát a fejlesztési versenyben, bár a helyzet még változhat. Amennyiben minden terv szerint megy, az első, Samsung gyártotta lapkákkal szerelt termékek 2017 első felében tűnhetnek fel.
Bár a technológia publikus részleteit majd csak a februári ISSCC rendezvényen részletezi először a Samsung, az SRAM tesztcellák paraméterei már most ismertek. A dél-koreaiak aktuális, 14 nanométeres technológiájával egyetlen cella mérete 0,064 μm2. 10 nanométeres technológia esetében, magas sűrűségre optimalizált dizájnt feltételezve ez 0,040 μm²-re csökken, egy kifejezetten a teljesítményre kihegyezett lapka esetében pedig 0,049 μm²-t jelent. Vagyis a 14 nanométeres, 0,064 μm²-es SRAM cellákhoz viszonyítva az új technológia 0,63 részre csökkenti a cellaméretet. Összehasonlítás gyanánt, az Intel 22-ről 14 nanométerre való váltásánál a szorzó 0,54x volt, ami egy teljes lapka méretére levetítve nagy különbséget eredményezhet a Samsung megoldásával szemben. Az x86-os gyártóval való összevetésnél maradva szintén érdekes alapot kínál, hogy a vállalat 14 nanométeren 0,0588 μm²-es SRAM cellákat állít elő.
Amennyiben a skálázódás ütemét tartani tudják, úgy a Samsung megoldása továbbra is csak a második helyre lehet jó, ugyanakkor nincs kizárva, hogy a dél-koreaiak hamarabb rukkolnak elő 10 nanométeres megoldásukkal, ezzel pedig egy időre akár még át is vehetik a vezetést.
