A vásárlók legfontosabb kifogása az SSD-kkel kapcsolatban általában a relatív kis kapacitás. A gyártók először ezen próbáltak meg javítani, ún. MLC (multi level cell) memóriák alkalmazásával. Ilyenkor egy memóriacella több bitnyi információt tárol, korábban elterjedtek voltak a cellánként 2 bitet tároló chipek, ma már a 3 bit se ritka. Ennek a megközelítésnek a problémája, hogy a flashmemória gyorsabban fárad, mert az írási műveletek többször érintenek egy cellát. Ha valamelyik tárolt bit módosul, az egész cellát újra kell írni, ami hamar fáradáshoz vezet.
A vevők azonban egyszerre igényelnek nagyobb kapacitású és gyorsabb, ugyanakkor nagy élettartamú SSD-ket. A Samsung megoldása a problémára a vertikálisan rétegezett V-NAND, amely lecsökkenti az egymás melletti cellák közötti interferenciát, ezzel javítva a memória sebességét és növelve annak élettartamát. A V-NAND flashmemória-cellák a Samsung által közölt adatok szerint több tízezer írási ciklust is elviselnek fáradás nélkül, miközben a modern, 20 nanométeres technológiával gyártott MLC cellák már néhány ezer ciklus után elkezdenek elfáradni: a tartalmukat megőrzik, de újraírni őket már nem lehet.
A koreai cég szerint a V-NAND a vertikális rétegezésnek köszönhetően azt az előnyt is biztosítja a gyártók számára, hogy a nagy kapacitású eszközök mérete nem nő kezelhetetlen méretűre - a Samsung az első generációs V-NAND esetén 24, most pedig már 32 memóriachipet rétegez egymásra, egy tokba.
Az új 840 EVO meghajtók legnagyobbika 1 terabájtos, de a család kisebb tagjai 512, 256 és 128 gigabájtos kivitelben is elérhetők. A vállalat céges felhasználásra, szerverekbe, tárolókba is kínál V-NAND SSD-ket, a PM853T sorozatú meghajtók 240, 480 és 960 gigabájtos kapacitással érhetők el, maximális írási sebességük 14 ezer IOPS, olvasás esetén pedig 90 ezer IOPS.
