Ahhoz, hogy a mobil eszközök, okostelefonok és tabletek kihasználhassák a CPU-magok növekedő teljesítményét, a memóriatechnológiának is lépést kell tartania. A mobil eszközök által igényelt memória mennyisége olyan ütemben nő, hogy a hozzájuk gyártott chipek összesített kapacitása hamarosan felülmúlja a PC-két és szervermemóriákét.
A Samsung most új áttörést ért el az alacsony fogyasztású (Low Power, LP) DDR4 memóriák területén, a vállalat kifejlesztett egy 8 gigabites, vagyis 1 gigabájtos lapkát, amelyet 20 nanométeres osztályú gyártástechnológiával készített. A memóriagyártók nem hozták nyilvánosságra az általuk használt gyártástechnológia pontos adatait, a 20 nanométeres osztály annyit jelent, a csíkszélesség 20-29 nanométer között van. A koreai vállalat állítása szerint ez a legnagyobb adatsűrűségű DRAM chip jelenleg a világon, vagyis adott fizikai méretben ez kínálja a legnagyobb kapacitást.
A 8 Gibites LPDDR4-es memórialapka LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic) I/O csatolót használ, amelynek az LPDDR4-es szabványban történő rögzítését korábban maga a Samsung javasolta a JEDEC illetékeseinek – és a csatoló időközben az LPDDR4 szabvány részévé is vált. Az új csatolófelület jóvoltából egy-egy LPDDR4-es chip érintkezőnként 3200 Mibit/s-os adatátviteli sebességet kínál, ami a jelenleg sorozatgyártásban lévő, 20 nm-es osztályú gyártástechnológiával készülő leggyorsabb LPDDR3-as memóriachipekhez képest kétszer magasabb érték. Összességében az LPDDR4-es memóriachipek a leggyorsabb LPDDR3-as és DDR3-as memóriachipeknél 50%-kal nagyobb teljesítményt kínálnak, 1,1 V-os üzemi feszültség alkalmazása mellett pedig 40%-kal kevesebb áramot fogyasztanak, ami kifejezetten előnyösen hat az akkumulátoros üzemidő alakulására.
