A Samsung az értékpapír-felügyeletnek hétfőn benyújtott közleményében bejelentette, a cég vezetése a tervezett 7 milliárd dollárból már 2,3 milliárd dollárra megadta a beruházási engedélyt. A beruházást a Samsung kínai leányvállalata, a Samsung China Semiconductor Co. hajtja végre a Pekingtől délnyugatra fekvő Senhszi (Shanxi) tartomány fővárosában Hszianban (Xi’an).
A beruházás célja a NAND flashmemória áramkörök iránt közép- és hosszútávon növekvő kereslet kielégítése. A második negyedévben a Samsung adta a globális NAND flashmemória-piaci forgalom 38,3 százalékát az IHS piackutató vállalat kimutatása szerint.
A Samsung az idén júliusban már bejelentett egy 18,6 milliárd dolláros NAND memóriaáramkör-gyártó beruházást Dél-Koreában.
