A Samsung Electronics megkezdte az iparág első, négy gigabájtos dinamikus RAM-jának (DRAM) tömeggyártását. Az új DRAM a második generációs High Bandwidth Memory (HBM2) szabványon alapul, így a nagyteljesítményű számítástechnikában (HPC), a fejlett grafikai és hálózati rendszerekben és a vállalati szervereknél egyaránt használható.
A Samsung új HBM megoldása egyedülálló, a jelenlegi felső sebességhatárnál hétszer gyorsabb DRAM teljesítményt biztosít.
Az újonnan bemutatott 4 GiB-os HBM2 DRAM a Samsung leghatékonyabb, húsz nanométeres feldolgozási technológiáját ötvözi a fejlett HBM chip tervezéssel. A négy gigabájtos HBM2 készletbe egy nagy sebességű gyorsítótárat és négy darab nyolcgigabites memóriaegységet integráltak.
