FőoldalÜzletNagysűrűségű rezisztív RAM a Flash helyett?
2013. október 10., csütörtök ::

Nagysűrűségű rezisztív RAM a Flash helyett?

Egy Crossbar nevű vállalkozás a NAND-hoz képest jóval nagyobb kapacitású, alacsonyabb fogyasztású és egy nagyságrenddel nagyobb élettartamú, az eddiginél gyorsabb memóriatechnológiát fejlesztett. A rezisztív RAM (RRAM) névre keresztelt technológia bevezetésére azonban még éveket kell várni

A Flash-veteránok által alapított startup vállalkozás eddig teljes titoktartás mellett működött. Elnök-vezérigazgatója és alapítója, George Minassian igen tapasztaltnak számít félvezetőgyártásban. 19 évig dolgozott az AMD-nél, majd a 2005-ben leválasztott Spansion alelnöki pozíciójában tevékenykedett öt évig, több mint három éve pedig a Crossbart vezeti. A startup cég mögött komoly befektetési alapok sorakoztak fel, beszállt már a Kleiner Perkins, a Northern Light és az Artiman Ventures is.

A cég igen rövid tájékoztatója szerint a RRAM az úgynevezett nem-volatilis memóriák közé tartozik, vagyis a RAM-mal ellentétben nem szükséges folyamatos áramellátás az adatok megőrzéséhez. Az igen elterjednek számító NAND/Flash memóriával szemben a RRAM számos előnyt vonultat fel: a leggyorsabb NAND-nál 20-szor gyorsabb írási sebességgel rendelkezik és 20-szor alacsonyabb fogyasztást produkált. Állításuk szerint a RRAM mintegy tízszer akkora élettartammal rendelkezik, mint a NAND-lapkák, miközben egy terabájt adat tárolásához csak 200 négyzetmilliméternyi szilíciumot igényel. A cég sajtóközleménye szerint a RRAM nagyon könnyen implementálható a jelenleg használatos félvezetőipari eljárásokon.

A Crossbar által feltöltött videó szerint a RRAM három egyszerű rétegből áll, az alsó nem-fém és a felső fém elektróda között amorf (nem kristályos) szilícium található. Ahogy a két elektródára feszültséget kapcsolunk, a köztes rétegben vékony vezető fonalak keletkeznek, amelyek zárják az áramkört. A publikált, igen szűkszavú műszaki leírás szerint egy-egy cella programozása így mintegy 64 pikojoule energiát igényel, szemben a NAND 1360 pJ-s értékével, továbbá egy-egy cella akár egymilliós nagyságrendben is újraírható, szemben a modern, 1x nanométeres NAND néhány ezer ciklusával.

A RRAM piaci bevezetése még nagyon messze van. A Crossbar jövő évtől tervezi licencelni a technológiát SoC (rendszerlapka) gyártók és szilícium-bérgyártók felé, a boltok polcaira így leghamarabb 2015 végén, 2016-ban kerülhetnének RRAM-alapú lapkák, vagyis a licencdíjak is csak ettől fogva kezdenek készpénzt termelni.

A NAND-memóriák leváltására nem csak a Crossbar tesz erőfeszítéseket, hasonló problémákat igyekszik megoldani a HP memrisztor-technológiája is. A memrisztor-alapú memóriák piaci bevezetését a HP 2013-ra ígérte, a kétéves tervek szerint idén már az SSD-k piacán, jövőre vagy két év múlva pedig a DRAM, azután pedig az SRAM piacát forgatná fel a memrisztor. A technológia fejlesztéseiről azonban a gyártó azóta nagyon hallgat, így idén várhatóan már nem jelennek meg a különleges új eszközök.

Tudomány / Alapkutatás

tudomany

CAD/CAM

cad

Járműelektronika

jarmuelektronika

Rendezvények / Kiállítások

Mostanában nincsenek események
Nincs megjeleníthető esemény