Közösen érhetett el jelentős áttörést a félvezetők kialakításában az IBM és a Samsung. A San Franciscói IEDM-konferencia első napján a két cég egy olyan, innovatív chiparchitektúrát mutatott be, amelyen a tranzisztorok függőlegesen egymásra pakolva helyezkednek el.
A jelenlegi processzorok és egylapkás rendszerek (SoC) esetében a tranzisztorok horizontálisan egy szinten terülnek el a szilícium felületén, az áram haladási iránya jellemző módon a lapka síkjával párhuzamos. A bemutatott új konstrukció a Vertical transport field effect transistor (VTFET) ezzel szemben (a bemutató szóhasználatával) teret nyit az elektronok „függőleges irányú” mozgásának is. A gyártók szerint az új függőleges tranzisztor áttörés segítheti a félvezetőipart abban, hogy folytassa könyörtelen útját: számos korlátot legyőzve a Moore-törvényt az 1 nanométeres küszöbön túlra is ki lehet terjeszteni.
Ennél is fontosabb, hogy állítólag sokkal kisebb az eszköz fajlagos energiafelhasználása. Így nagy mértékben hozzájárulhat az IoT mind általánosabbá válásához még speciális körülmények között is pl. a nyílttengeri bójákon, vagy az autonóm járművek, űrhajók fedélzetén. Az új konstrukcióval ráadásul a kriptobányászathoz hasonló erőforrásigényes feladatok is sokkal energiahatékonyabbá és ilyen módon környezetbarátabbá tehetők. Az ötletgazdák szerint a módosított kialakítással például idővel olyan telefonok gyártása is lehetővé válhat, amelyek akkumulátora egyetlen feltöltéssel akár egy hétig használható marad.
Bár a technológia rendkívül ígéretesnek mutatkozik, bevezetésének időpontjáról egyelőre nincs érdemleges információ.
Forrás: ibm.com
