Már nagyobb területű hajlékony áramkörök is előállíthatóak egy most publikált folyamattal, mely nanokristályokból álló tranzisztorokra épít.
Korábban a nanokristályokat csupán egymagukban alkalmazták különféle áramkörökben, ugyanis a vákuumos gyártási folyamat lassú és költséges volt. Ezen felül több, különféle nanokristály egyidejű integrálása további kihívásokat is jelentett, ugyanis ilyenkor a kristályok felületi kémiája könnyen „összezavarodott”. Mindez gátat jelentett a nagyobb teljesítményű áramkörök létrehozásának, melyek komplex mintázatot és rétegzést igényelnek, megfelelő strukturális stabilitás, kémiai kompatibilitás, illetve a különféle anyagok közötti megfelelő kooperáció mellett. A most publikált eredmények alapján sikerült áttörést elérni, a nanokristályokból épített tranzisztorok egy sztenderd N-típusú félvezető karakterisztikáját mutatták. Mindez megnyithatja az utat a nagyobb területű, flexibilis, de alacsony gyártási költségű, egyszerűbb áramkörök tömeggyártása előtt, amivel új piacokat vehetnének célba a gyártók.
A flexibilis áramkör előállítását egy relatíve egyszerű folyamat keretein belül érték el a szakemberek, az egyes komponenseket speciális folyadékba keverték. Az újfajta eljárás általánosságban véve olcsó és kényelmes, ráadásul viszonylag nagy területeket lehet egyszerre megmunkálni segítségével.
A FET-ek alternatív előállítását célzó projekthez ezüst, alumínium-oxid, illetve kadmium-szelenid nanokristályokat alkalmaztak. A megoldást a több részes, úgynevezett solution-processing jelentette, amivel különféle nanokristályokat hoztak létre egy flexibilis polimer szubsztrátumon. Első lépésként a kapuelektródákat alakították ki, ezüst nanokristályokkal egy mintázatot rajzoltak forgótárcsás (spin coating) technikával. Ezután az ezüst bevonat kémia kezelése következett, amire a rétegzés megalapozása miatt volt szükség. A következő lépcsőben eltávolították a mintázatot, amivel végeredményként 80 (±10) nanométeres ezüst nanokristály kapuelektródákat kaptak.
Ezután a kapuszigetelő réteg létrehozása következett. Ehhez kvázi nulladik lépcsőként a szubtrátumot kezelték elektromosan töltött polimerekkel, így változtatva annak felületén. Mindez a későbbi rétegzés miatt kritikus fontosságú volt, ugyanis a módszernek köszönhetően megelőzték a rétegek későbbi szétválását. A következő fázisban a kapuszigetelőket növesztették rétegről-rétegre, ellenkező töltésű polisztirol-szulfonát és alumínium-oxid nanokristályok váltogatásával. Az így létrejött réteg vastagsága 60 (±5) nanométeres lett.
A félvezető csatornák létrehozásához ismét a forgótárcsás technikához nyúltak a mérnökök, a kadmium-szelenid nanokristályokhoz kémiai úton tiocianátot adtak, amit töltéssel rendelkező polimerekkel kevertek. Utóbbi lépéssel elejébe mentek a rétegek elválásának, amit az ezt követően alkalmazott különféle kémiai kezelések idéznének elő.
A source és a drain elektródák létrehozásához ezüst és indium nanokristályokat raktak egy fénnyel degradálható anyagra, amit ammónium-tiocianát kezelés követett. A folyamat legvégén 250 °C-os, nitrogénnel töltött térben hőkezelték 10 percen keresztül az áramkört, ami amellett, hogy megvastagította a kadmium-szelenid filmet, nagyban segítette az indium megfelelő diffúzióját is. A folyamatok legvégén egy enyhén érdes felületű, de egyenletes, teljesen hajlékony, törhetetlen filmréteg jött létre. A vizsgálatok során az alumínium-oxid szigetelőréteg simának és folyamatosnak bizonyult, jól kirajzolt elektródákkal.
A mérések szerint a szigetelőréteg dielektromos állandója a polimer miatt magasabb a sztenderd alumínium-oxid rétegek értékénél, ami hatékonyabb töltés-felhalmozódást eredményez alacsony üzemi feszültségnél. A hőkezelést követően az alumínium-oxid nanokristály réteg alacsony szivárgási áramot biztosított.
