FőoldalKonstruktőrÚj, nagysebességű és nagy kapacitású DDR2 SDRAM-ok
2014. május 05., hétfő ::

Új, nagysebességű és nagy kapacitású DDR2 SDRAM-ok

Az Alliance Memory új, nagysebességű, CMOS technológiás, DDR2 szinkron DRAM modulokat mutatott be 512 Mibit (AS4C32M16D2) ill. 1 Gibit (AS4C64M16D2, AS4C128M8D2) memóriakapacitással, 60-golyós 8×10×1,2 ill. 84-golyós 8×12,5×1,2 mm-es FBGA tokozással

Az új memóriák teljesen csereszabatosak azokkal a korábbi eszközökkel, amelyeket a gépjárműiparban, szórakoztatóelektronikai és hálózati eszközöknél használnak, sokkal kisebb memóriasűrűséggel. Az AS4C32M16D2 belső konfigurációját tekintve négy bankból áll, egyenként 8 Mszó × 16 bit elrendezéssel. Az AS4C64M16D2 és AS4C128M8D2 esetében ugyanez a konfiguráció nyolc bankot és 8 Mszó × 16 bitet ill. 16 Mszó × 8 bitet jelent. A DDR2 SDRAM-ok rendelkeznek szinkron interfésszel, szimpla +1,8 V (±0,1 V) tápfeszültségről működnek, halogén- és ólommentesek.

Az AS4C32M16D2, AS4C64M16D2 és AS4C128M8D2 órajelsebessége 400 MHz, adatsebessége minden kivezetésen 800 Mibit/s, és háromféle működési hőmérséklettartománnyal érhetők el a hagyományos kereskedelmi (0 – 85 °C), ipari (-40 – 95 °C), valamint gépjárműipari (-40 – 105 °C) alkalmazások számára. A DDR2 SDRAM modulok programozható olvasási vagy írási burst hossza négy vagy nyolc, az automatikus előtöltés funkció saját időzítésű sor-előtöltést indít minden burst szekvencia végeztével. Az automatikus és saját vezérlésű cellafrissítés, valamint az üzemmódválasztás támogatottak.

Az Alliance Memory honlapja

Tudomány / Alapkutatás

tudomany

CAD/CAM

cad

Járműelektronika

jarmuelektronika

Rendezvények / Kiállítások

Mostanában nincsenek események
Nincs megjeleníthető esemény