Mint arról tavaly beszámoltunk, a negyedik passzív áramköri elemnek is nevezett "emlékező ellenállás" létezését 1971-ben jósolta meg először Leon Ong Chua. Az ő matematikai egyenleteit a HP Labs kutatóinak 2008-ban sikerült kézzel fogható eszközzé kovácsolnia. Az áttöréshez a nanoelektronika eredményeire volt szükség. A memrisztor a számítástechnikában a maiaknál gyorsabb és egyszerűbb nemfelejtő memóriák, vagy nagyobb időtávlatban a neuronszámítógépek alapeleme lehet.
A hajlítható memrisztor megalkotásához a kutatók titán-dioxidot vittek fel flexibilis, az írásvetítőkben használatos fóliához hasonló áttetsző polimerre, majd elektromos áramot vezettek az így megalkotott lapkára. Az eredmény egy kevesebb, mint 10 volt feszültségen működő abszolút hajlékony memrisztor lett: az áram kikapcsolása után is megőrizte "emlékezetét", ráadásul közben legalább négyezerszer meghajlították. A NIST-féle memrisztor olyan jövőbeli flexibilis chipek megalkotása előtt nyithatja meg az utat, mint az egészségügyben alkalmazható szívritmus- és vércukorszint-mérő mikroberendezések - áll a tudósok közleményében.
Kapcsolódó cikkek
Megszületett az első memrisztor-tranzisztor IC
