Tapasztó Levente Aradon született 1979-ben és a kolozsvári Babes-Bolyai Egyetemen szerzett fizikusi oklevelet 2002-ben. Fokozatszerzése summa cum laude minősítéssel szén nanocső témában már Magyarországon, az ELTE állami ösztöndíjas PhD hallgatójaként történt 2008-ban. A kutató az MFA neveltje, hiszen Biró László Péter akadémikus szárnyai alatt fejlődött érett kutatóvá, és aratta megérdemelten elismert sikereit. Hamar kitűnt kiváló szervezőképességével és kutatói habitusával. Az MTA akkori elnöke, Pálinkás József meghívta a Fiatal Kutatók Tanácsába, ahol a Fizikai Tudományok Osztályának állandó meghívottjaként képviselte az anyagtudományt.
Az elmúlt évek grafén kutatása terén elért eredményei és elsőrangú publikációi hozták meg számára azt a nemzetközi figyelmet és presztízst, ami pályázatát - a 2013-as ERC StG kísérlete után - 2015-ben siker koronázta.
A Tapasztó Levente vezette magyar kutatócsoport kidolgozott egy olyan nanotechnológiai eljárást, amely a világon jelenleg létező legpontosabb módszer grafén nanoszerkezetek megmunkálására. Azáltal, hogy a grafén atomi szerkezetét közel atomi pontossággal tudják megmunkálni, sikerült félvezetővé és mágnesessé tenni az egyébként fémes és nem mágneses grafént. Ez olyan alkalmazások előtt nyithatja meg az utat, amelyek a jelenleginél nagyságrendekkel gyorsabb és kisebb fogyasztású elektronikai eszközök kifejlesztéséhez vezethetnek.
A mostani siker is ráirányítja a figyelmet az anyagtudománynak, mint a hazai innovációs törekvések egyik eszközének alapvető fontosságára és ezen belül az immár az Energiatudományi Kutatóközpontba sorolt Műszaki Fizikai és Anyagtudományi Intézetben folyó színvonalas munka értékére. Az intézet reméli, hogy a központosítás ellenére a jövőben biztosíthatóak lesznek azok a feltételek, flexibilitás és önállóság, amit az anyagtudomány korábban élvezett, és ami a sikeres kutatómunka alapvető előfeltétele.
