FőoldalCikkekCikkek megjelenítése címkék szerint: csíkszélesség

csíkszélesség

Feliratkozás az RSS csatornára

A Samsung rávert 1 nm-t a GlobalFoundriesre

Egy „hajszállal” jobb, 11 nanométeres csíkszélességet mutatott be

Kukába a Moore-törvénnyel?

A Hewlett Packard Labs. nagynevű kutatója, R. Stanley Williams szerint a Moore-törvény a halálán van, és így a lapkagyártók végre rákényszerülnek, hogy új tervezési megoldásokban gondolkodjanak

Gate-All-Around tranzisztorokra alapozva fejlesztene a Samsung

Már 7 nanométeren leváltaná a FinFET-et a koreai óriás. Egy lépéssel ugraná át konkurenseit a Samsung: tömegtermelésben elsőként vetné be a GAA (Gate-All-Around), vagy más néven nanohuzal tranzisztorokat. A ma már a legtöbb bérgyártó kínálatában elérhető FinFET tranzisztorok egyik potenciális utódjának számító alternatíva több előnnyel kecsegtet, ezért cserébe viszont előbb vagy utóbb újabb kockázatot jelentő kihívásokkal kell szembenézniük a mérnököknek

10 nanométeres FET technológia a Samsungtól

A már megszokottól eltérően nem az Intel, hanem a Samsung mutatott be elsőként egy új gyártási technológiát

Tudomány / Alapkutatás

tudomany

CAD/CAM

cad

Járműelektronika

jarmuelektronika

InnoElectro 2025
Rohde & Schwarz 2023
TMS-2023-06-09
Phoenix – 2021_02

Rendezvények / Kiállítások

Mostanában nincsenek események
Nincs megjeleníthető esemény
Sicontact 20211025